Инновационная, многоуровневая трехмерная структура и повышает технические характеристики микросхем и увеличивает объём карты -памяти.
Toshiba представила новое поколение карты — памяти BiCS FLASH с трехмерной многоуровневой структурой запоминающих ячеек.
Новая микросхема является первой мировой премьерой 48-слойным 32 Гбайт (256-гигабитным) флэш — устройством.
Кроме того, оно основано на самой совершенной полупроводниковой отрасли
нанотехнологией TLC (Triple-Level Cell – трехуровневая ячейка).
Поставка образцов будет производиться очень скоро.
BiCS FLASH основана на новейшем процессе производства 48-слойных структур. Она позволяет создавать большие объёмы памяти, с большим количеством циклов записи, бóльшей скоростью записи чтения, чем традиционная двумерная карта-памяти NAND.
Новая карта памяти объёмом 256-гигабит найдет применение во множестве различных приложений, включая потребительские твердотельные накопители, смартфоны, планшеты, карты памяти и твердотельные накопители для центров обработки данных.
Со времени анонса этой инновационной технологии, компания продолжала разработки с целью её оптимизации для возможности использования для массового производства ИС.
Компания приняла во внимание, что на 2016 г. прогнозируется рост рынка, а также, что эта тенденция сохраниться и последующие годы.
Поэтому, Корпорация будет планомерно переходить на новую микросхему, расширяя ассортимент новой продукции, предназначенной для приложений большого объёма, таких, например, как твердотельные накопители.
Богатый опыт Корпорации, по созданию компонентов памяти привёл её к настоящему моменту к подготовке массового производства этого продукта.
А, также, строительству новой фабрики Fab2 город Йоккаити – основной площадке по выпуску флэш-памяти NAND, завершение строительства которой как запланировано, на первую половину 2016 года.
Нанотехнологии, это современной путь науки, за которыми стоят реальные перспективы развития научно-технического прогресса!
www.toshiba.com